2026年7月行业监测数据显示，上半年三星半导体部门核心研发人员离职率同比上升18%，其中近60%的离职人员入职竞争对手SK海力士，覆盖HBM制程研发、先进封装等AI芯片核心技术方向。本次人才流动的核心背景是全球AI芯片需求暴涨引发的产能竞赛，将直接影响两家企业在全球高端存储芯片市场的份额占比。
在三星半导体部门负责HBM3E制程良率优化的工程师李宰焕已经在SK海力士的龙仁研发中心工位上工作了三周，和他同期提交离职申请的还有另外7名来自同一研发组的核心同事——这只是近半年来三星半导体人才流向SK海力士的一个缩影。
随着生成式AI应用在全球范围的落地，高端AI芯片的产能缺口持续扩大，作为AI芯片核心组件的高带宽内存（HBM）更是供不应求。2026年全球HBM整体供需缺口已经突破35%，三星与SK海力士两家合计占据全球HBM产能的90%以上，是英伟达、AMD等AI芯片厂商的核心供应商。
此前SK海力士凭借更高的HBM良率拿到了英伟达下一代AI芯片超过80%的订单，迫切需要扩充研发团队加速产能爬坡，而三星近两年来在HBM3E的良率突破上进度慢于预期，核心团队的稳定性也出现动摇。
本次从三星离职的研发人员大多集中在三大核心方向：HBM堆叠工艺研发、先进封装技术、下一代存算一体存储芯片研发，全部属于AI芯片领域的核心技术壁垒。
为了吸引这些核心人才，SK海力士为三星背景的核心研发人员开出的薪酬普遍高出原待遇30%-50%，还附带最高500万人民币的签约金与研发项目自主权。不少受访的离职工程师表示，SK海力士给出的研发资源倾斜也是重要诱因，入职后可以直接参与英伟达定制化HBM的研发项目，成果落地速度远快于原公司的内部流程。
行业分析师指出，高端存储芯片的研发高度依赖核心工程师的经验积累，一名成熟的HBM制程工程师的培养周期至少需要5年，核心人才的流失可能导致三星的下一代HBM技术落地时间延后6-12个月。
本次韩国存储巨头之间的人才流动，只是全球AI芯片领域人才争夺战的一个缩影。目前台积电、英伟达、英特尔都已经在韩国设立了研发中心，针对存储芯片研发人才开出的待遇甚至高于SK海力士的挖人标准。
据行业机构统计，2026年全球半导体核心研发人才缺口已经超过12万人，其中AI芯片相关方向的人才缺口占比超过60%。未来除了薪酬激励之外，研发项目的落地空间、技术成果的收益分配机制，将成为企业留住核心人才的核心竞争力。
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